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瀏覽:- 發(fā)布日期:2025-06-04 10:33:12【

小接管是石化裝備中常見的結(jié)構形式,一般作為管道附件或者物料進出口的連接件使用?!稛捇b置小接管管理導則》中規(guī)定:在設備本體或管道上直接開孔,采用焊接方式連接的DN50及以下的半管接頭、支管座、支管的結(jié)構,統(tǒng)稱為小接管。但實際應用中,小接管的定義更加寬泛,管徑在DN100以下,壁厚為4~8 mm的結(jié)構都可以被稱為小接管[1]。小接管具有管徑小,壁厚薄,角焊縫結(jié)構復雜等特點,焊接難度大,焊接過程容易產(chǎn)生未焊透、裂紋等缺陷,且在使用過程中容易形成腐蝕、裂紋等缺陷,是承壓設備安裝及使用過程中的重點關注對象。 

目前小接管的檢測方法以常規(guī)的滲透和磁粉檢測為主,滲透檢測只能對表面開口缺陷進行檢查,無法發(fā)現(xiàn)埋藏缺陷;磁粉檢測受小接管結(jié)構影響,磁化方法比較復雜,且二者均需要對檢測表面進行處理,檢測工藝繁瑣。除滲透和磁粉檢測外,相控陣超聲檢測也被應用于小接管檢測中,吳明暢等[2]采用CIVA仿真軟件對典型規(guī)格的小口徑接管角焊縫模型進行仿真,優(yōu)化了相控陣無損檢測工藝。卜陽光等[3]對接管焊縫相控陣超聲多模全聚焦檢測技術進行了研究。除此之外,渦流檢測也被應用于小接管焊縫檢測中,但受限于檢測深度,檢測范圍較小。 

交流電磁場檢測(Alternating current field measurement,ACFM)技術是一種電磁無損檢測技術,其基于電磁感應原理,利用缺陷與正常結(jié)構處的磁信號變化,實現(xiàn)對金屬結(jié)構焊縫表面及近表面缺陷的檢測,對導電金屬材料均有良好的檢測效果,且能進行非接觸式檢測,在小接管檢測領域具有一定的應用前景。 

交流電磁場檢測通過施加交流電的激勵線圈,在檢測對象表面感應出均勻交變電場。當電場經(jīng)過缺陷位置會出現(xiàn)電場線的切割及變化,導致該處磁場發(fā)生變化,檢測磁場變化的位置和規(guī)律,可實現(xiàn)缺陷的檢出和測量[4]。交流電磁場檢測原理如圖1所示(圖中BxBz為磁通密度Bx,z方向分量),即可通過磁場強度的變化,結(jié)合材料磁導率,探究磁通密度的變化規(guī)律,進行缺陷的識別和分析[5]。 

圖  1  交流電磁場檢測原理

電磁場在不同介質(zhì)空間中的傳播模式復雜,難以快速求解。隨著計算機技術及大型有限元軟件的不斷發(fā)展,有限元分析方法(Finite element method)成為解決復雜電磁場問題應用最廣泛的手段之一[6]。 

建立有限元三維模型進行仿真分析,包括感應線圈、小接管焊縫試件和求解域3部分,如圖2所示。感應線圈采用直徑為0.15 mm的銅線,密集纏繞于U形磁芯上,匝數(shù)為500匝,線圈通入等效電流為1 A的正弦交流電,頻率可調(diào)整,磁芯尺寸(長×寬×高)為14 mm×26 mm×6 mm,材料為錳鋅鐵氧體。小接管焊縫試件由母管、插管以及焊縫組成。插管直徑為40 mm,壁厚為3 mm;母管直徑為200 mm,壁厚為12 mm。為便于計算,母管僅取與插管連接的上半部分,材料為碳鋼,插管母管連接處設置焊縫,焊縫寬度為6 mm,余高為2 mm,在焊縫周向30°及210°設置周向刻槽缺陷。求解域設置尺寸為500 mm×500 mm×400 mm的長方體。感應線圈材料為銅,求解域部分為空氣。 

圖  2  小接管焊縫示意及其仿真模型

為保證與實際情況一致,仿真時將探頭沿管周向運動,采集小接管焊縫表面空氣上磁通密度的值,并分析其規(guī)律。對仿真模型進行參數(shù)化掃描,探頭距離焊縫的提離為1 mm,將試塊左肩中心位置設置為0°,則探頭起點為-30°,移動總路徑為420°,每次移動4°。按照上述設置進行仿真計算,探頭激勵頻率分別為1 kHz,5 kHz及10 kHz。 

設置以下幾組小接管模型:第一組模型無缺陷;第二組模型在小接管肩部0°及180°處設置缺陷,缺陷尺寸(長×寬×深,下同)為5 mm×3 mm×1 mm;第三組模型在小接管肩部30°及210°處設置缺陷,缺陷尺寸為5 mm×3 mm×1 mm。各組模型的磁場信號變化如圖3圖5所示,(圖中3條不同顏色的線代表3種不同激勵頻率的信號強度)。 

圖  3  無缺陷處磁場信號仿真結(jié)果(模型一)
圖  4  肩部缺陷處磁場信號仿真結(jié)果(模型二)
圖  5  偏30°缺陷處磁場信號仿真結(jié)果(模型三)

圖3可知,第一組模型的Bx信號無明顯變化,ByBz信號呈正弦變化趨勢,相位差約為90°,磁通密度B無明顯變化。第二組模型的Bx信號在缺陷處出現(xiàn)明顯的波峰波谷,變化量約為4 mT,ByBz信號呈正弦變化趨勢,相位差約為90°,缺陷處存在小的正弦信號變化,磁通密度B在缺陷處出現(xiàn)明顯的波谷,1 kHz頻率的信號對缺陷響應較小。第三組模型的Bx信號在缺陷處出現(xiàn)明顯的波峰波谷,與第二組近似,ByBz信號呈正弦變化趨勢,相位差約為90°,缺陷處存在小的正弦信號變化,磁通密度B在缺陷處出現(xiàn)明顯的波谷,1 kHz頻率的信號對缺陷響應較小。 

設置以下幾組小接管模型:第四組模型在小接管肩部0°及180°處設置缺陷,缺陷尺寸為3.0 mm×0.5 mm×1.0 mm;第五組模型在小接管肩部30°及210°處設置缺陷,缺陷尺寸為3.0 mm×0.5 mm×1.0 mm。各組模型的磁場信號變化如圖6,7所示。 

圖  6  肩部缺陷處磁場信號仿真結(jié)果(模型四)
圖  7  偏30°缺陷處磁場信號仿真結(jié)果(模型五)

圖6,7可知,第四組模型的磁場信號變化規(guī)律與第二組的基本一致,但信號變化量明顯降低,約為50 mT。第五組模型的磁場信號變化規(guī)律與第三組的基本一致,但信號變化量明顯降低,約為50 mT。 

在第五組的基礎上,修改探頭運動過程中與焊縫的距離,模擬探頭在焊縫凹凸不平表面上的運動,相關參數(shù)如表1所示。提離磁場信號仿真結(jié)果如圖8所示。 

Table  1.  不同角度范圍下,探頭與焊縫的距離
項目 角度范圍/(°)
-30~-10 -10~0 0~170 170~180 180~390
探頭與焊縫距離/mm 1 3 1 4 1
圖  8  提離磁場信號仿真結(jié)果

圖8可知,Bx,ByBz信號均會在提離位置出現(xiàn)波動,Bx信號變化較大。1 kHz的檢測頻率下的提離對信號影響較大,5 kHz與10 kHz頻率下的提離影響較小[7]。 

Bx信號在缺陷處存在正弦信號波動,ByBz信號在缺陷處也能夠產(chǎn)生正弦信號波動,但相比背景值信噪比較低。1 kHz頻率下磁場對缺陷的敏感性更弱,5 kHz及10 kHz頻率對缺陷的敏感程度相差較小。在提離位置,BxByBz信號出現(xiàn)與缺陷近似的信號波動,但Bx信號存在較大差異。 

在LKACFM-X1型交流電磁場檢測儀的基礎上,依據(jù)仿真結(jié)果,設計了小接管焊縫缺陷檢測系統(tǒng)?,F(xiàn)有的交流電磁場檢測探頭通過xz兩個方向上的磁場傳感器獲得檢測部位xz方向的磁場信號。根據(jù)仿真結(jié)果,小接管工件缺陷位置的BxBz信號變化不明顯,B信號變化明顯,故對系統(tǒng)進行改造。系統(tǒng)硬件沿用原檢測儀器,主要更改探頭、信號處理及顯示軟件,探頭及儀器實物如圖9所示。 

圖  9  檢測儀器及探頭實物

探頭由激勵模塊、傳感器模塊、信號處理模塊組成。激勵模塊采用U形磁軛纏繞線圈的形式,傳感器模塊采用3個TMR傳感器,分別垂直于x、yz方向,拾取3個方向的磁通密度。信號處理模塊首先將Bx、By以及Bz求和并獲得磁通密度B,然后對B進行放大、濾波等初步處理,傳輸?shù)缴衔粰C中。探頭及信號處理模塊框圖如圖10所示。最后,通過軟件對探頭獲得的磁通密度B進行處理,并顯示到屏幕上[8]。 

圖  10  探頭及信號處理模塊框圖

在探頭模型與插管呈45°的基礎上設計工裝,工裝一端為半圓形結(jié)構,與被檢測接管管徑一致,能夠在接管上固定并穩(wěn)定旋轉(zhuǎn);另一端為夾持機構,能夠固定探頭,并保證其與接管焊縫角度為45°,如圖11所示。 

圖  11  檢測工裝設計圖及實物

設計小接管缺陷試塊,其材料為低碳鋼,選用尺寸(直徑×壁厚,下同)為?273 mm×9.5 mm的管道作為基座,為便于放置,去掉管道的下半部分。選取3根?42 mm×5 mm的管道作為接管,在基座上依次焊接,接管間距為120 mm。接管試件上布置人工缺陷,試塊外觀如圖12所示,缺陷尺寸如表2所示[5]。 

圖  12  小接管缺陷試塊
Table  2.  試件缺陷尺寸及分布
接管編號 缺陷 缺陷周向位置 缺陷軸向位置 缺陷類型 缺陷尺寸
A 1 焊縫上 刻槽 5 mm×2 mm(長×寬)
2 180° 上熱影響區(qū) 刻槽 5 mm×2 mm(長×寬)
B 3 焊縫上 刻槽 10 mm×2 mm(長×寬)
4 180° 上熱影響區(qū) 刻槽 10 mm×2 mm(長×寬)
C 5 焊縫上 平底孔 ?2 mm×2 mm(直徑×深度)
6 180° 上熱影響區(qū) 平底孔 ?3 mm×2 mm(直徑×深度)

選用1 kHz,5 kHz頻率分別對上述試塊進行試驗,按照A、B、C管分開進行檢測,檢測結(jié)果如圖13,14所示。橫坐標為時間;縱坐標為傳感器獲得的磁通密度B(由三個方向Bx,By以及Bz綜合計算),經(jīng)AD轉(zhuǎn)換后由軟件進行處理,單位為μV。 

圖  13  1 kHz頻率下的試塊檢測結(jié)果
圖  14  5 kHz頻率下的試塊檢測結(jié)果

圖13,14可知,通過分析磁通密度B的變化,可以獲得小接管焊縫上的缺陷信息,1 kHz頻率的信號響應明顯低于5 kHz頻率的信號響應,缺陷越大,信號響應越明顯,孔的缺陷響應明顯低于槽的。 

此外,結(jié)合掃查結(jié)果及上文描述,針對表面狀況造成的提離,可以分別使用1 kHz和5 kHz的頻率進行掃查,由于1 kHz信號對提離信號的響應更加明顯,可以通過1 kHz與5 kHz掃查信號的相應情況,排除非相關信號顯示。 

(1)建立小接管焊縫三維仿真模型并進行交流電磁場檢測仿真模擬,仿真結(jié)果表明:缺陷位置存在磁通密度變化,磁通密度出現(xiàn)明顯響應。 

(2)設計與制作了三通道檢測探頭及信號處理模塊,開展了小接管焊縫缺陷試塊的檢測試驗,結(jié)果表明:通過采集磁通密度B的信號響應,可檢出長度5 mm以上的小接管焊縫裂紋缺陷。



文章來源——材料與測試網(wǎng)

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